当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端就会产生电位差，这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势U，其表达式为： U=K·I·B/d，其中 K 为霍尔系数，I 为薄片中通过的电流，B 为外加磁场（洛伦慈力 Lorrentz）的磁感应强度，d 是薄片的厚度。由此可见，霍尔效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比。

霍尔接近开关属于这种有源磁/电转换器件。它是在霍尔效应原理的基础上，采用先进的集成包装和组装工艺制造的，它可以很容易地将磁输入信号转换为实际应用中的电信号，并满足实际应用在工业场合易于操作和可靠性的要求。 霍尔接近开关的输出端。输出端一般采用晶体管输出，和电感式接近开关类似的有：NPN、PNP、常开型、常闭型、锁存型（双极性）、双信号输出几种类型。

霍尔接近开关是一种磁性接近开关，具有无触电、功耗低、使用寿命长、响应频率高的特点。它由环氧树脂密封和灌溉制成，因此可以在各种恶劣的环境中可靠地工作。它可应用于接近开关、压力开关、里程表等，它是一种新型的电器配件。霍尔开关的响应频率高于电感开关。它由磁钢和导磁金属触发。霍尔开关的感应距离不仅与传感器本身的性能有关，还与所选磁钢的磁场强度有关。

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